大芯超導(dǎo)有限公司

 

BASiC基本半導(dǎo)體650V/1200V Hybrid IGBT 單管IGBT TO274-3和TO247-4 具備高速I(mǎi)GBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，TO-247 4 引腳封裝具有一個(gè)額外的開(kāi)爾文發(fā)射極連接。此 4 引腳也被稱(chēng)為開(kāi)爾文發(fā)射極端子，繞過(guò)柵極控制回路上的發(fā)射極引線(xiàn)電感，從而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的開(kāi)關(guān)速度并降低開(kāi)關(guān)能量。主要規(guī)格有BGH50N65HF1，BGH50N65ZF1，BGH75N65HF1，BGH75N65ZF1，BGH40N120HF特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。其常見(jiàn)應(yīng)用包括：車(chē)載充電機(jī)（OBC）、ESS儲(chǔ)能系統(tǒng)、PV inverter光伏逆變器、UPS不間斷電源系統(tǒng) (UPS)，以及服務(wù)器和電信用開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) ，基本半導(dǎo)體混合碳化硅分立器件將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性?xún)r(jià)比的方案。該器件將傳統(tǒng)的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封，在部分應(yīng)用中可以替代傳統(tǒng)的IGBT （硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封），使IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低，適用于車(chē)載電源充電機(jī)（OBC）、通信電源、高頻DC-DC電源轉(zhuǎn)換器、儲(chǔ)能等領(lǐng)域。

 

BASiC基本半導(dǎo)體混合IGBT Hybrid Discrete搭載了為高頻開(kāi)關(guān)優(yōu)化的IGBT晶圓以及650VBASiC基本SiC二極管，基本SiC二極管極小Qrr，有效降低對(duì)管IGBT開(kāi)通損耗，且自身反向恢復(fù)損耗Erec也明顯降低，IGBT開(kāi)通損耗隨溫度的影響很小，降低EMI，廣泛應(yīng)用于OBC車(chē)載充電器，光伏儲(chǔ)能逆變器，充電樁電源模塊，移動(dòng)儲(chǔ)能逆變器功率因數(shù)校正（PFC）、DC-DC（直流-直流）和DC-AC（直流-交流）等。

 

BASiC基本半導(dǎo)體碳化硅MOSFET B1M160120HC，B1M080120HC，B1M080120HK，B1M032120HC，B1M032120HK具備開(kāi)關(guān)中的小柵極電荷和器件電容、反并聯(lián)二極管無(wú)反向恢復(fù)損耗、與溫度無(wú)關(guān)的低開(kāi)關(guān)損耗，以及無(wú)閾值通態(tài)特性等。非常適合硬開(kāi)關(guān)和諧振開(kāi)關(guān)拓?fù)?，如LLC和ZVS，廣泛應(yīng)用于OBC車(chē)載充電器，光伏儲(chǔ)能逆變器，充電樁電源模塊等，可以像IGBT或MOSFET一樣使用易于使用的驅(qū)動(dòng)器進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。由于能在高開(kāi)關(guān)頻率下帶來(lái)高效率，從而可以減小系統(tǒng)尺寸、增大功率密度，并確保高可靠性，延長(zhǎng)使用壽命。

 

光伏逆變器升壓SiC碳化硅二極管B2D10120H1,B2D20120HC1,B2D20120H1,B2D30120HC1,B2D30120H1,B2D40120H1,B2D20065HC1,B2D20065H1,B2D30065H,B2D40065H，B2D02120E1,光伏逆變器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，混合三電平SiC-IGBT模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,SiC MOSFET模塊，SOT-227碳化硅肖特基二極管模塊，混合SiC-IGBT模塊，BASiC基本混合混合SiC-IGBT單管，分立碳化硅MOSFET，TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，儲(chǔ)能逆變器SiC MOSFET，光伏逆變器SiC MOSFET，三電平IGBT模塊，光儲(chǔ)一體機(jī)混合IGBT器件

 

BASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管在沿用6英寸晶圓工藝基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)了更高的電流密度、更小的元胞尺寸、更低的正向?qū)▔航?。BASiC基本半導(dǎo)體第三代碳化硅肖特基二極管繼承了一代和二代產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn)，采用JBS結(jié)構(gòu)，優(yōu)化了N-外延層的摻雜濃度，減薄N+襯底層，使得二極管具有更低的正向?qū)▔航礦F和結(jié)電荷QC，可以降低應(yīng)用端的導(dǎo)通損耗和開(kāi)關(guān)損耗。