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使用基本公司SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅通用變頻器！-傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷

使用基本公司SiC碳化硅MOSFET升級(jí)傳統(tǒng)IGBT通用變頻器，實(shí)現(xiàn)更高的通用變頻器高功率密度，通用變頻器高溫環(huán)境應(yīng)用！通用變頻器低電機(jī)噪聲控制！取得通用變頻器能耗與性能的最優(yōu)權(quán)衡！

 

隨著銅價(jià)暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點(diǎn)，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統(tǒng)綜合成本（電感磁性元件，散熱系統(tǒng)，整機(jī)重量），電力電子系統(tǒng)的全碳SiC時(shí)代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業(yè)分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

 

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產(chǎn)碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場(chǎng)的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC™ silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

 

 

基本公司SiC碳化硅MOSFET單管適用于通用變頻器，比如氣體保護(hù)焊，如氬弧焊、二氧化碳?xì)怏w保護(hù)焊，手工弧焊等。

 

雖然傳統(tǒng)IGBT器件在其低損耗，高開關(guān)頻率，高功率密度特征上持續(xù)提升，但是由于自身特點(diǎn)的限制，在部分溫度高，安裝體積緊湊，電機(jī)電磁噪聲敏感的工業(yè)傳動(dòng)場(chǎng)合，已無法適應(yīng)高功率密度、高溫環(huán)境、低電機(jī)噪聲控制的應(yīng)用要求，在一定程度上IGBT進(jìn)入發(fā)展瓶頸期。使用基本公司SiC碳化硅MOSFET替代IGBT已經(jīng)成為行業(yè)潮流!

SiC碳化硅MOSFET通用變頻器支持開環(huán)矢量和閉環(huán)矢量?jī)煞N控制方式，載波頻率達(dá)到100kHz, 輸出頻率達(dá)到10kHz，采用電機(jī)諧波電流控制技術(shù)，優(yōu)化轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)控制，實(shí)現(xiàn)更低電機(jī)轉(zhuǎn)矩脈動(dòng)及電機(jī)電磁噪聲，DPWM /CPWM智能切換動(dòng)態(tài)載波調(diào)制，可以取得能耗與性能的最優(yōu)權(quán)衡。功率器件死區(qū)時(shí)間控制方面，偉創(chuàng)變頻器最小死區(qū)時(shí)間控制在300ns左右，大幅提升輸出電壓利用率提升10%。

SiC碳化硅MOSFET通用變頻器全功率段采用碳化硅單管及碳化硅單管并聯(lián)方案，以獨(dú)特軟/硬件配合動(dòng)態(tài)控制方法，實(shí)現(xiàn)單管之間有效均流，在碳化硅MOSFET功率器件異常情況（過流，短路）下快速保護(hù)，通過對(duì)變頻器中SiC碳化硅MOSFET功率器件驅(qū)動(dòng)參數(shù)優(yōu)化，器件與結(jié)構(gòu)布局優(yōu)化，解決變頻器實(shí)際使用過程中（由于SiC碳化硅MOSFET高dv/dt產(chǎn)生的變頻器自身及配套使用設(shè)計(jì)）的電磁干擾問題.

SiC碳化硅MOSFET變頻器可以通過提高運(yùn)行載波，節(jié)省輸出濾波裝置或縮小電機(jī)體積等方式，有效改善現(xiàn)有高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品的痛點(diǎn)。隨著高速空浮、磁浮電機(jī)的應(yīng)用普及，SiC碳化硅MOSFET變頻器憑借技術(shù)的優(yōu)勢(shì)將迅速占領(lǐng)該類產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)。

 

VVVF變頻、矢量控制變頻、直接轉(zhuǎn)矩控制變頻都是交—直—交變頻中的一種。其共同缺點(diǎn)是輸入功率因數(shù)低，諧波電流大，直流電路需要大的儲(chǔ)能電容，再生能量又不能反饋回電網(wǎng)，即不能進(jìn)行四象限運(yùn)行。為此，矩陣式交—交變頻應(yīng)運(yùn)而生。由于矩陣式交—交變頻省去了中間直流環(huán)節(jié)，從而省去了體積大、價(jià)格貴的電解電容。它能實(shí)現(xiàn)功率因數(shù)為1，輸入電流為正弦且能四象限運(yùn)行，系統(tǒng)的功率密度大。

矩陣變頻具有較大優(yōu)勢(shì):一方面矩陣變換器沒有儲(chǔ)能元件,體積可以比同樣容量的兩級(jí)結(jié)構(gòu)變流器小;另一方面矩陣變頻不需要電解電容器,也就不需要考慮電解電容壽命問題。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET開發(fā)高功率密度變頻器，除通用變頻器一般驅(qū)動(dòng)功能外，同時(shí)具備通用變頻器高電力品質(zhì)、能量回生、高功率密度三個(gè)特性。

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器為了挑戰(zhàn)降低諧波、改善功因及提升功率密度，具有下列關(guān)鍵技術(shù)

1. 高頻SiC碳化硅MOSFET驅(qū)控電路技術(shù)，提升矩陣變頻器頻率由(8kHz-->50kHz)。

2. 改善電力品質(zhì)，采用DMCSVM換動(dòng)態(tài)載波調(diào)制，降低諧波(33%-->7%)，減少電力損失。

3. 改善功率因數(shù)(0.75-->0.98)，提升電力線上所有設(shè)備的壽命。

4. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器具有雙向能量轉(zhuǎn)換特性，電機(jī)煞車時(shí)，可將能量直接回饋至電網(wǎng)，節(jié)能效果提升20%以上，采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器在電梯應(yīng)用能量回生達(dá)65%。

5. 采用基本公司SiC碳化硅MOSFET的矩陣變頻器小型化功率底座、散熱及一體化設(shè)計(jì)，整機(jī)功率密度可達(dá)4kW/L，充分響應(yīng)節(jié)能減排。

 

采用基本公司SiC碳化硅MOSFET功率器件的高效、高可靠性變頻器，擺脫長(zhǎng)期以來依賴于國外器件供應(yīng)商的產(chǎn)業(yè)瓶頸，實(shí)現(xiàn)碳化硅MOSFET功率器件的國產(chǎn)化替代貢獻(xiàn)自己的行業(yè)力量。

 

 

IGBT芯片技術(shù)不斷發(fā)展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進(jìn)幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導(dǎo)體提供了實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關(guān)損耗，從而提高開關(guān)頻率。進(jìn)一步的，可以優(yōu)化濾波器組件，相應(yīng)的損耗會(huì)下降，從而全面減少系統(tǒng)損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關(guān)頻率提5倍（實(shí)現(xiàn)顯著的濾波器優(yōu)化），同時(shí)保持結(jié)溫低于最大規(guī)定值。

 

為了保持電力電子系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)，同時(shí)也為了使最終用戶獲得經(jīng)濟(jì)效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應(yīng)用功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的優(yōu)勢(shì)所在。隨著IGBT技術(shù)到達(dá)發(fā)展瓶頸，加上SiC MOSFET成本持續(xù)下降，使用SiC MOSFET替代升級(jí)IGBT已經(jīng)成為各類型電力電子應(yīng)用的主流趨勢(shì)。

 

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傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅(qū)動(dòng)IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動(dòng)化、數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，致力于服務(wù)中國工業(yè)電源，電力電子裝備及新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。在新型能源體系的發(fā)展趨勢(shì)場(chǎng)景下，融合數(shù)字技術(shù)、電力電子技術(shù)、熱管理技術(shù)和儲(chǔ)能管理技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)發(fā)電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網(wǎng)、荷、儲(chǔ)、車”的協(xié)同發(fā)展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向，將不斷創(chuàng)新技術(shù)和產(chǎn)品，堅(jiān)定不移與產(chǎn)業(yè)和合作伙伴攜手，積極參與數(shù)字能源產(chǎn)業(yè)生態(tài)，為客戶提供高品質(zhì)汽車智能互聯(lián)連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創(chuàng)新型車規(guī)級(jí)互聯(lián)產(chǎn)品，包括線對(duì)板、板對(duì)板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級(jí)充電站和可在30分鐘內(nèi)為EV電池充滿電的3級(jí)超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級(jí)密封連接器。以及以技術(shù)創(chuàng)新為導(dǎo)向的各類功率半導(dǎo)體器件：車規(guī)碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產(chǎn)碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅(qū)動(dòng)SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機(jī)國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲(chǔ)能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產(chǎn)氮化鎵GaN，隔離驅(qū)動(dòng)IC等產(chǎn)品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務(wù)于中國新能源汽車行業(yè)，新能源汽車電控系統(tǒng)，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統(tǒng)，全液冷超充，高功率密度風(fēng)冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標(biāo)充電樁，車載DCDC模塊，國網(wǎng)三統(tǒng)一充電模塊光儲(chǔ)變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網(wǎng)絡(luò)、V2X、綜合智慧能源、智能微電網(wǎng)智能光儲(chǔ)，智能組串式儲(chǔ)能等行業(yè)應(yīng)用，傾佳電子（Changer Tech）為實(shí)現(xiàn)零碳發(fā)電、零碳數(shù)據(jù)中心、零碳網(wǎng)絡(luò)、零碳家庭等新能源發(fā)展目標(biāo)奮斗，從而為實(shí)現(xiàn)一個(gè)零碳地球做出貢獻(xiàn)，邁向數(shù)字能源新時(shí)代！Changer Tech strives to achieve new energy development goals such as zero-carbon power generation, zero-carbon data centers, zero-carbon networks, and zero-carbon homes, thereby contributing to the realization of a zero-carbon earth and moving towards a new era of digital energy!